中国、高品質の半導体を大量生産する新たな手法を開発

2025年7月20日　19日付のCGTN による話題　― 中国の科学者たちは、高品質の「黄金の半導体」セレン化インジウムを大量生産するための新たな手法を開発し、現在のシリコン基板の技術を上回る新世代のチップを製造する方法を切り開いています。

金曜日にScience誌によるオンライン版で公開されたこの研究は、北京大学と中国人民大学の研究者たちによって行われました。

現代の情報技術の中核を形成する集積回路は、シリコン基板のチップ性能が物理的な限界に近づくにつれて、高性能で低エネルギーの新しい半導体材料の開発が世界的な研究の優先事項になっていました。

セレン化インジウムは「黄金の半導体」として知られています。しかし、その大規模かつ高品質の生産は長い間とらえどころがなく、その広範な集積化を妨げてきました。

核心の課題は、生成中のインジウムとセレンの理想的な1：1の原子比を正確に維持することにあると、北京大学の物理学部の教授であるイユー・カイフン氏が語っています。

同研究チームは革新的な技法を用いて、密閉された条件下で潜晶質セレン化インジウムフィルムと固体インジウムを加熱しました。

蒸発したインジウム原子は、このフィルムの端にインジウムが豊富な液体界面を形成し、徐々に規則正しい原子配列を備えた高品質のセレン化インジウム結晶を生成しました。

イユー氏は、この手法により正しい原子比を確保し、研究所での研究から工学技術応用へのセレン化インジウムの移行における重要な行き詰まりを克服したと述べました。

同研究班は、集積されたチップデバイスで直接使用するのに適した直径5センチのセレン化インディウムウェーハを製造し、高性能トランジスタの大規模な配列を構築したと、北京大学の電子学部の研究者であるキュー・チェングアン氏は語っています。

イユー氏は、この難関突破は人工知能、自律運転、スマート端末で広範な応用を見い出すと予想され、次世代の高性能、低電力チップへの新たな道を開くと付け加えました。

サイエンス誌の査読者たちは、「結晶成長の進歩」としてこの仕事を称賛したと記事は伝えています。